张国成,博士,副教授,电子信息工程、能源动力专业硕士生导师。目前主要从事混合信号集成电路设计,有机场效应晶体管及其应用(包括:自供电、神经元、突触、存储、探测等)以及基于晶体管的仿生集成电路设计等方面的研究工作。先后于2004年和2007年获得电子科学与技术专业工学学士学位和微电子学与固体电子学专业工学硕士学位,硕士期间主要研究方向为数模混合集成电路设计。毕业后主要在企业进行电源管理类芯片及高速低功耗模数转换器的研发,并有多次流片经验。2008年入职福建工程学院信息科学与工程学院,成为一名微电子专业教师至今。2020年获得微电子学与固体电子学博士学位,攻读博士学位期间,主要从事有机场效应晶体管、金属氧化物场效应晶体管及垂直结构场效应晶体管方面的研究工作,在薄膜制备、表征及器件结构的设计等方面积累了大量的工作经验,并取得一定的成果。主持的项目有福建省科技厅自然科学基金项目面上项目2项(2016J01749已结题,2021J011082在研),福建省教育厅青年科技项目1项(JA15350已结题),校科研启动基金1项(E0600415在研);以主要参与人参与国家重点研发计划课题1项(印刷TFT的结构设计与界面工程,2016YFB0401103),国家自然科学基金面上和青年项目各1项(61974029、51503039),另外,还以主要参与人参与福建省自然科学基金青年项目1项(2015J05117)、国家地方联合工程实验室项目1项(GY-Z18038)、福建省经贸委科技项目1项(GY-Z14001);在国内外学术刊物上发表论文近20篇,撰写专利4项 | |
职称、职务-Title or Position | 副教授 微电子科学与工程教研室主任 |
联系方式-Contact Information | 13859020017 57077818@qq.com |
主要研究方向-Research Interests | 混合信号集成电路设计 薄膜晶体管及其应用 |
主要讲授课程-Courses | 模拟集成电路分析与设计 固体物理与半导体物理 |
主要研究项目-Research Projects | 主持:
参与:
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主要科研成果-Achievement | 第一作者/通讯作者: [1] Guocheng Zhang, Chao Ma, Xiaomin Wu, Xianghong Zhang, Chansong Gaoand Huipeng Chen, Transparent Organic Nonvolatile Memory and Volatile Synaptic Transistors Based on Floating Gate Structure. IEEE Electron Device Letters. 2022, 43(5): 733-736. [2] HE Lihua,LI Enlong,YU Rengjian,CHEN Huipeng, Guocheng Zhang, Multistage Photosynaptic Transistor Based on the Regulation of Ferroelectric P(VDF-TrFE). Acta Photonica Sinica. 2021, 50(9): 0904002. [3] He Weixin, He Lihua, Chen Huipeng, Guocheng Zhang, Optical Write Multi-level Memory Based on Organic Thin Film Transistor. Chinese Journal of Luminescence. 2020, 41(1): 95-102. [4] Guocheng Zhang, Pingjun Zhang and Xingli He, Preparation and performance optimization of inkjet-printed vertical organic phototransistor. Acta Photonica Sinica. 2019, 48(12): 1223001. [5] Guocheng Zhang, Jianfeng Zhong, Qizhen Chen, Yujie Yan, Huipeng Chen and Tailiang Guo, High-performance organic phototransistors with vertical structure design. IEEE Transactions on Electron Devices. 2019, 66(4): 1815-1818. [6] Wenyu Yang, Guocheng Zhang *, Yu Cui and Huipeng Chen, Inkjet printed metal oxide heterojunction thin-film transistor. Chinese Journal of Luminescence. 2019, 40(4): 497-503. [7] Guocheng Zhang, Pingjun Zhang, Daobing Hu, Huipeng Chen and Tailiang Guo, A postalignment method for high-mobility organic thin-film transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 2018, 65(3): 1101-1106. [8] Guocheng Zhang, Pingjun Zhang, Huipeng Chen and Tailiang Guo, Modification of polymer gate dielectrics for organic thin-film transistor from inkjet printing. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2018, 124(7): 481. [9] Guocheng Zhang, Huipeng Chen and Tailiang Guo, Impact of the modification of dielectric layers on the morphology and device performance of inkjet-printed OFET. Chinese Journal of Luminescence. 2017, 38(2): 194-200. [10] Guocheng Zhang, Huihuang Yang, Lilin He, Liqin Hu, Shuqiong Lan, Fushan Li, Huipeng Chen and Tailiang Guo, Importance of domain purity in semi-conducting polymer/insulating polymer blends transistors. Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics. 2016, 54(17): 1760-1766. [11]张国成等. 一种用于视频采集 10bit 低功耗 SARADC 的设计 [J]. 中国集成电路, 2014, 23(z1):41-44. 非第一作者: [1] Wu X, Lan S, Zhang G, et al. Morphology of a Ternary Blend Solar Cell Based on Small Molecule: Conjugated Polymer: Fullerene Fabricated by Blade Coating [J]. Advanced Functional Materials, 2017, 27(40):1703268. [2] Lan S, Yang H, Zhang G, et al. The Importance of Solvent Removal Rate on the Morphology and Device Performance of Organic Photovoltaics with Solvent Annealing [J]. Acs Appl Mater Interfaces, 2017, 9(24):20679-20685. [3] Yang H, Chen C, Zhang G, et al. Solution Processed Organic Thin Film Transistor Arrays with Assistance of Laser Ablation [J]. Acs Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(4):3849-3856. [4] Chen C, Chen G, Yang H, Zhang G, et al. Solution-processed metal oxide arrays with femtosecond laser ablation and annealing for thin-film transistors [J]. Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5(36). [5] Hu D, Zhang G, Yang H, et al. High-Performance Nonvolatile Organic Transistor Memory Using Quantum Dots-Based Floating Gate [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, PP(99):1-6. [6] Lan S, Yang H, Zhang G, et al. Impact of Fullerene Structure on Nanoscale Morphology and Miscibility and Correlation of Performance on Small Molecules: Fullerene Solar Cell [J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2016, 120(38): 21317-21324. 发明专利: [1] 张国成,马超等. 一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法. 中国发明专利, 实审. [2] 陈惠鹏,张国成,杨辉煌,胡利勤,蓝淑琼,郭太良. 一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610080077.3, 授权日期: 2018年06月15日. [3] 陈惠鹏,张国成,杨辉煌,胡利勤,蓝淑琼,郭太良. 一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610072062.2, 授权日期: 2018年10月26日. [4] 陈惠鹏,郭太良,张军,张国成,陈赐海,杨辉煌. 一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法. 中国发明专利, 专利号: ZL201610768689.1, 授权日期: 2018年08月17日. |
主要获奖情况-Awards | 2012年优秀毕业设计指导教师 |